台积电：计划2024年引入ASML最新一代EUV光刻机

6月17日，台积电高管在美国硅谷举行的技术研讨会上表示，该公司将在2024年引入荷兰厂商阿斯麦（ASML）的最新一代EUV（极紫外光）光刻机。

　　台积电研发高级副总裁米玉杰在上述研讨会上表示：“展望未来，台积电将在2024年引入高数值孔径的极紫外（High-NA EUV）光刻机，为的是开发客户所需相关基础设施和模式解决方案，进一步推动创新。”

　　米玉杰并未说明这项设备何时将用于量产。不过，台积电业务开发资深副总经理张晓强随后说明，台积电2024年还不准备运用新的高数值孔径EUV工具来生产，主要使用目的是跟伙伴进行研究。

　　随着芯片工艺越来越复杂先进，无论台积电、三星还是英特尔都需要采用EUV光刻机。

　　今年早些时候，ASML对外表示，正在与其合作伙伴一起开发下一代High-NA光刻机 ——Twinscan EXE:5000 系列。据了解，新High-NA光刻机具有0.55NA（High-NA ）的透镜，分辨率达8纳米，将非常复杂、非常庞大且价格昂贵，更有利于3纳米及以上制程的工艺制造。

　　路透社也曾报道，ASML公司已经获得了 5 个 High-NA 产品的试点订单，预计将于2024年交付，并有着“超过 5 个”订单需要从2025年开始交付的量产型号。

　　之前对EUV技术不看好的英特尔公司现在积极向EUV技术靠拢，并希望能够率先采用最新一代High-NA光刻机。

英特尔高层之前对外表示，该公司会成为首发用户，抢下了第一台0.55NA的EUV光刻机，而且首批6台中英特尔也占了大头，台积电、三星会慢一波。英特尔还表示，2025年将开始以高数值孔径EUV进行生产。

　　日前正在欧洲访问的三星集团副会长、三星集团实际控制人李在镕拜访ASML。6月17日，韩媒体报道称，李在镕在荷兰访问ASML之后，已经确保取得额外的极紫外光（EUV）微影设备。

　　参加台积电上述论坛的产业调查机构TechInsights半导体经济学家赫奇森（G. Dan Hutcheson）说：“台积电2024年拥有这种设备的重要性，在于他们更快速接触到最先进技术。”

　　赫奇森指出，EUV技术已成为走在尖端的关键，高数值孔径EUV则是推进半导体技术的下一个重大创新。

　　台积电北美技术论坛连续两年以线上方式举行，今年于美国加州圣塔克拉拉市恢复举办实体论坛。

　　台积电在论坛上首度推出采用纳米片电晶体的新一代先进2纳米（N2）制程技术，以及支援N3与N3E制程的独特TSMC FINFLEX技术，将成为全球第1家率先提供2纳米制程代工服务的晶圆厂。